Справочник MOSFET. DM4N65E

 

DM4N65E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DM4N65E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO262 TO263
 

 Аналог (замена) для DM4N65E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DM4N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4587K  desay
 dm4n65e.pdf pdf_icon

DM4N65E

N MOS /N-Channel Power MOSFET DM4N65E RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SUPPLY

Другие MOSFET... M4N65TF , FS8205 , FMD5N50E5 , FKBA3004 , FKBA3006 , FKBB3002 , FKBB3004 , FKD3006 , AON6414A , DM4N65E-F , DM5N65E , DM5N65E-F , DM7N65C , DM7N65C-F , DM8N65C , DM8N65C-F , DM10N65C .

History: 2SK794 | 2SJ647 | VS3606AT | SI3407 | VSE090N10MS | LSGC04R029 | SI4421DY

 

 
Back to Top

 


 
.