DM5N65E-F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DM5N65E-F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 36 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 13 nC
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 53.8 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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DM5N65E-F Datasheet (PDF)

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dm5n65e.pdf

N MOS /N-Channel Power MOSFET DM5N65E RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SUPPLY

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