DM5N65E-F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DM5N65E-F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53.8 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de DM5N65E-F MOSFET
DM5N65E-F Datasheet (PDF)
dm5n65e.pdf
N MOS /N-Channel Power MOSFET DM5N65E RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SUPPLY
Otros transistores... FKBA3004 , FKBA3006 , FKBB3002 , FKBB3004 , FKD3006 , DM4N65E , DM4N65E-F , DM5N65E , AON6414A , DM7N65C , DM7N65C-F , DM8N65C , DM8N65C-F , DM10N65C , DM10N65C-F , DM10N65C-2 , DM12N65C .
History: FDT86113LZ
History: FDT86113LZ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
Популярные запросы | irfz44n | irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet

