DM5N65E-F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DM5N65E-F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 53.8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO220F
DM5N65E-F Datasheet (PDF)
7.1. Size:4695K desay
dm5n65e.pdf
dm5n65e.pdf
N MOS /N-Channel Power MOSFET DM5N65E RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SUPPLY
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918