Справочник MOSFET. DM5N65E-F

 

DM5N65E-F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DM5N65E-F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для DM5N65E-F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DM5N65E-F Datasheet (PDF)

 7.1. Size:4695K  desay
 dm5n65e.pdf pdf_icon

DM5N65E-F

N MOS /N-Channel Power MOSFET DM5N65E RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SUPPLY

Другие MOSFET... FKBA3004 , FKBA3006 , FKBB3002 , FKBB3004 , FKD3006 , DM4N65E , DM4N65E-F , DM5N65E , IRFB4110 , DM7N65C , DM7N65C-F , DM8N65C , DM8N65C-F , DM10N65C , DM10N65C-F , DM10N65C-2 , DM12N65C .

History: FTK3415 | SWB076R68E7T | HSS2P10

 

 
Back to Top

 


 
.