DM12N65C-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DM12N65C-2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262 TO263
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DM12N65C-2 Datasheet (PDF)
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History: ZXMN6A11GTC
History: ZXMN6A11GTC
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