DM12N65C-2 - описание и поиск аналогов

 

DM12N65C-2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DM12N65C-2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO262 TO263

Аналог (замена) для DM12N65C-2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DM12N65C-2 даташит

 6.1. Size:5160K  desay
dm12n65c.pdfpdf_icon

DM12N65C-2

Другие MOSFET... DM7N65C-F , DM8N65C , DM8N65C-F , DM10N65C , DM10N65C-F , DM10N65C-2 , DM12N65C , DM12N65C-F , 2SK3878 , EMB03N03HR , EMB09N03V , EMB09P03V , EMB12N04V , EMB12P03G , EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.