EMB22A04G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMB22A04G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de EMB22A04G MOSFET
EMB22A04G Datasheet (PDF)
emb22a04g.pdf

EMB22A04GDualNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:BVDSS40VRDSON(MAX.)22mID8APbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20VTA=25C8Co
Otros transistores... EMB09P03V , EMB12N04V , EMB12P03G , EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , EMB20N03V , EMB20P03G , SPP20N60C3 , EMBA5P06J , EMF02P02H , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS , AP2307GN , AP2311GN .
History: 2SK3098 | STM4820 | SI2335DS
History: 2SK3098 | STM4820 | SI2335DS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
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