EMB22A04G - описание и поиск аналогов

 

EMB22A04G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMB22A04G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для EMB22A04G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMB22A04G даташит

 ..1. Size:188K  emc
 emb22a04g.pdf pdf_icon

EMB22A04G

EMB22A04G Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary BVDSS 40V RDSON (MAX.) 22m ID 8A Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 20 V TA = 25 C 8 Co

Другие MOSFET... EMB09P03V , EMB12N04V , EMB12P03G , EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , EMB20N03V , EMB20P03G , SKD502T , EMBA5P06J , EMF02P02H , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS , AP2307GN , AP2311GN .

History: BUK457-400B | HX3415 | 2SK1012 | M7002NND03 | SUD50N06-07L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.