EMB22A04G - аналоги и даташиты транзистора

 

EMB22A04G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: EMB22A04G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для EMB22A04G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMB22A04G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  emc
 emb22a04g.pdf pdf_icon

EMB22A04G

EMB22A04GDualNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:BVDSS40VRDSON(MAX.)22mID8APbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20VTA=25C8Co

Другие MOSFET... EMB09P03V , EMB12N04V , EMB12P03G , EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , EMB20N03V , EMB20P03G , SPP20N60C3 , EMBA5P06J , EMF02P02H , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS , AP2307GN , AP2311GN .

History: HGB200N10SL

 

 
Back to Top

 


 
.