EMBA5P06J Todos los transistores

 

EMBA5P06J MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMBA5P06J

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: SOT23

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EMBA5P06J datasheet

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EMBA5P06J

EMBA5P06J P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 60V RDSON (MAX.) 150m ID 2.2A G S Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 20 V TA = 25

Otros transistores... EMB12N04V , EMB12P03G , EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G , K4145 , EMF02P02H , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS , AP2307GN , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 .

History: JCS3910V | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | SWP7N65D | SWD070R08E7T | HP100N08

 

 

 

 

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