EMBA5P06J Todos los transistores

 

EMBA5P06J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMBA5P06J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de EMBA5P06J MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

EMBA5P06J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  emc
 emba5p06j.pdf pdf_icon

EMBA5P06J

EMBA5P06JPChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS60VRDSON(MAX.)150mID2.2AGSPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20VTA=25

Otros transistores... EMB12N04V , EMB12P03G , EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G , IRFB3607 , EMF02P02H , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS , AP2307GN , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 .

History: FQA13N80-F109 | HFU630 | AOCA32112E

 

 
Back to Top

 


 
.