Справочник MOSFET. EMBA5P06J

 

EMBA5P06J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMBA5P06J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для EMBA5P06J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMBA5P06J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  emc
 emba5p06j.pdf pdf_icon

EMBA5P06J

EMBA5P06JPChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS60VRDSON(MAX.)150mID2.2AGSPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20VTA=25

Другие MOSFET... EMB12N04V , EMB12P03G , EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G , IRFB3607 , EMF02P02H , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS , AP2307GN , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 .

History: R6020FNJ | IPA037N08N3 | MSU1N60T

 

 
Back to Top

 


 
.