Справочник MOSFET. EMBA5P06J

 

EMBA5P06J MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: EMBA5P06J
   Маркировка: 28*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12.3 nC
   Время нарастания (tr): 20 ns
   Выходная емкость (Cd): 66 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для EMBA5P06J

 

 

EMBA5P06J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  emc
 emba5p06j.pdf

EMBA5P06J EMBA5P06J

EMBA5P06JPChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS60VRDSON(MAX.)150mID2.2AGSPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20VTA=25

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top