EMBA5P06J - описание и поиск аналогов

 

EMBA5P06J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMBA5P06J

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для EMBA5P06J

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMBA5P06J даташит

 ..1. Size:166K  emc
 emba5p06j.pdf pdf_icon

EMBA5P06J

EMBA5P06J P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 60V RDSON (MAX.) 150m ID 2.2A G S Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 20 V TA = 25

Другие MOSFET... EMB12N04V , EMB12P03G , EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G , K4145 , EMF02P02H , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS , AP2307GN , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 .

History: 2SK316 | HX3400 | SGO4606T | AOWF12N50 | SMG1330N | AOTF7S60L | SVF10N65T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.