EMF02P02H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMF02P02H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1303 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
Encapsulados: DFN5X6
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EMF02P02H datasheet
emf02p02h.pdf
EMF02P02H P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 20V RDSON (MAX.) 3.2m ID 100A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 12 V TC = 25 C 100 Continuous Dra
emf02p02h.pdf
EMF02P02H P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 20V RDSON (MAX.) 3.2m ID 100A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 12 V TC = 25 C 100 Continuous Dra
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