Справочник MOSFET. EMF02P02H

 

EMF02P02H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMF02P02H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1303 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

EMF02P02H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  1
 emf02p02h.pdf pdf_icon

EMF02P02H

EMF02P02H P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: DBVDSS 20V RDSON (MAX.) 3.2m ID 100A G SUIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 12 V TC = 25 C 100 Continuous Dra

 ..2. Size:287K  emc
 emf02p02h.pdf pdf_icon

EMF02P02H

EMF02P02H P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: DBVDSS 20V RDSON (MAX.) 3.2m ID 100A G SUIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 12 V TC = 25 C 100 Continuous Dra

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: S10H06RP | 2SK1818-MR | IPD50R280CE | AP50WN1K0H | SSPL5508 | NDT6N70 | AFP2913W

 

 
Back to Top

 


 
.