EMF02P02H - описание и поиск аналогов

 

EMF02P02H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMF02P02H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1303 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для EMF02P02H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMF02P02H даташит

 ..1. Size:287K  1
 emf02p02h.pdf pdf_icon

EMF02P02H

EMF02P02H P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 20V RDSON (MAX.) 3.2m ID 100A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 12 V TC = 25 C 100 Continuous Dra

 ..2. Size:287K  emc
 emf02p02h.pdf pdf_icon

EMF02P02H

EMF02P02H P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 20V RDSON (MAX.) 3.2m ID 100A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 12 V TC = 25 C 100 Continuous Dra

Другие MOSFET... EMB12P03G , EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G , EMBA5P06J , 13N50 , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS , AP2307GN , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 , AP4410M .

History: RT1E040RP | 2SK1562 | ASDM3020 | ST2318SRG | IAUC100N04S6L025 | KCB3008A | SD203DC

 

 

 

 

↑ Back to Top
.