EMF03N02HR Todos los transistores

 

EMF03N02HR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMF03N02HR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 71 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 377 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de EMF03N02HR MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

EMF03N02HR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  1
 emf03n02hr.pdf pdf_icon

EMF03N02HR

EMF03N02HR(Preliminary) N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: DBVDSS 20V RDSON (MAX.) 4.0m ID 71A G SUIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 10 V TC = 25 C 71 Contin

 ..2. Size:297K  emc
 emf03n02hr.pdf pdf_icon

EMF03N02HR

EMF03N02HR(Preliminary) N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: DBVDSS 20V RDSON (MAX.) 4.0m ID 71A G SUIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 10 V TC = 25 C 71 Contin

Otros transistores... EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G , EMBA5P06J , EMF02P02H , 5N60 , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS , AP2307GN , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 , AP4410M , AP4435GM .

History: KHB2D0N60P | LSD60R380HT | KHB3D0N90F1 | AP2311GN

 

 
Back to Top

 


 
.