EMF03N02HR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMF03N02HR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 71 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 377 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
Encapsulados: DFN5X6
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EMF03N02HR datasheet
emf03n02hr.pdf
EMF03N02HR (Preliminary) N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 20V RDSON (MAX.) 4.0m ID 71A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 10 V TC = 25 C 71 Contin
emf03n02hr.pdf
EMF03N02HR (Preliminary) N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 20V RDSON (MAX.) 4.0m ID 71A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 10 V TC = 25 C 71 Contin
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History: 15N12 | 2SK2602 | XP161A11A1PR-G
History: 15N12 | 2SK2602 | XP161A11A1PR-G
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