Справочник MOSFET. EMF03N02HR

 

EMF03N02HR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: EMF03N02HR
   Маркировка: F03N02R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 76 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 377 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для EMF03N02HR

 

 

EMF03N02HR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  1
 emf03n02hr.pdf

EMF03N02HR EMF03N02HR

EMF03N02HR(Preliminary) N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: DBVDSS 20V RDSON (MAX.) 4.0m ID 71A G SUIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 10 V TC = 25 C 71 Contin

 ..2. Size:297K  emc
 emf03n02hr.pdf

EMF03N02HR EMF03N02HR

EMF03N02HR(Preliminary) N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: DBVDSS 20V RDSON (MAX.) 4.0m ID 71A G SUIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 10 V TC = 25 C 71 Contin

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FDN86246

 

 
Back to Top