Справочник MOSFET. EMF03N02HR

 

EMF03N02HR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMF03N02HR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 377 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для EMF03N02HR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMF03N02HR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  1
 emf03n02hr.pdf pdf_icon

EMF03N02HR

EMF03N02HR(Preliminary) N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: DBVDSS 20V RDSON (MAX.) 4.0m ID 71A G SUIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 10 V TC = 25 C 71 Contin

 ..2. Size:297K  emc
 emf03n02hr.pdf pdf_icon

EMF03N02HR

EMF03N02HR(Preliminary) N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: DBVDSS 20V RDSON (MAX.) 4.0m ID 71A G SUIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 10 V TC = 25 C 71 Contin

Другие MOSFET... EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G , EMBA5P06J , EMF02P02H , RFP50N06 , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS , AP2307GN , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 , AP4410M , AP4435GM .

History: BUZ211 | GSM3497 | SSF4953 | 50N06G-TF3T-T | MDP1921 | BL18N20-D | BUK454-200A

 

 
Back to Top

 


 
.