EMF03N02HR - описание и поиск аналогов

 

EMF03N02HR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMF03N02HR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 377 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для EMF03N02HR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMF03N02HR даташит

 ..1. Size:297K  1
 emf03n02hr.pdf pdf_icon

EMF03N02HR

EMF03N02HR (Preliminary) N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 20V RDSON (MAX.) 4.0m ID 71A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 10 V TC = 25 C 71 Contin

 ..2. Size:297K  emc
 emf03n02hr.pdf pdf_icon

EMF03N02HR

EMF03N02HR (Preliminary) N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 20V RDSON (MAX.) 4.0m ID 71A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 10 V TC = 25 C 71 Contin

Другие MOSFET... EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G , EMBA5P06J , EMF02P02H , AON7410 , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS , AP2307GN , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 , AP4410M , AP4435GM .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.