EMF03N02HR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: EMF03N02HR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 377 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для EMF03N02HR
EMF03N02HR Datasheet (PDF)
emf03n02hr.pdf
EMF03N02HR(Preliminary) N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: DBVDSS 20V RDSON (MAX.) 4.0m ID 71A G SUIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 10 V TC = 25 C 71 Contin
emf03n02hr.pdf
EMF03N02HR(Preliminary) N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: DBVDSS 20V RDSON (MAX.) 4.0m ID 71A G SUIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 10 V TC = 25 C 71 Contin
Другие MOSFET... EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G , EMBA5P06J , EMF02P02H , RFP50N06 , EMF20A02G , EMF20B02V , EMF50N03JS , AP2307GN , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 , AP4410M , AP4435GM .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n