EMF50N03JS Todos los transistores

 

EMF50N03JS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMF50N03JS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.04 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT23

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EMF50N03JS datasheet

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EMF50N03JS

EMF50N03JS N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.) 50m ID 3.5A G S Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 12 V TA = 25 C 3

Otros transistores... EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G , EMBA5P06J , EMF02P02H , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V , IRF1010E , AP2307GN , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 , AP4410M , AP4435GM , AP72T03GH-HF , AP9579GP , AP9963GP .

History: JMPL1025AE | SFF054 | SWB090R08ET | 2SK3111-ZJ | APT5014BLLG | AP95T07AGP | OSG65R380FEF

 

 

 

 

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