EMF50N03JS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: EMF50N03JS
   Código: 17*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.04 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 2.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 52 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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EMF50N03JS Datasheet (PDF)

..1. Size:182K emc
emf50n03js.pdf

EMF50N03JSNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)50mID3.5AGSPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS12VTA=25C3

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Liste

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