Справочник MOSFET. EMF50N03JS

 

EMF50N03JS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMF50N03JS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.04 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для EMF50N03JS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMF50N03JS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  emc
 emf50n03js.pdf pdf_icon

EMF50N03JS

EMF50N03JSNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)50mID3.5AGSPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS12VTA=25C3

Другие MOSFET... EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G , EMBA5P06J , EMF02P02H , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V , IRF530 , AP2307GN , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 , AP4410M , AP4435GM , AP72T03GH-HF , AP9579GP , AP9963GP .

History: FCD1300N80Z | SQM120N03-1M5L

 

 
Back to Top

 


 
.