EMF50N03JS - описание и поиск аналогов

 

EMF50N03JS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMF50N03JS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.04 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для EMF50N03JS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMF50N03JS даташит

 ..1. Size:182K  emc
 emf50n03js.pdf pdf_icon

EMF50N03JS

EMF50N03JS N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.) 50m ID 3.5A G S Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 12 V TA = 25 C 3

Другие MOSFET... EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G , EMBA5P06J , EMF02P02H , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V , IRF1010E , AP2307GN , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 , AP4410M , AP4435GM , AP72T03GH-HF , AP9579GP , AP9963GP .

History: LSE60R240HT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.