MTA50P01SN3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTA50P01SN3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 14 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0565 Ohm
Encapsulados: SOT23
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MTA50P01SN3 datasheet
mta50p01sn3.pdf
Spec. No. C101N3 Issued Date 2015.09.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.07.05 Page No. 1/9 -14V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -14V MTA50P01SN3 ID @ VGS=-10V, TA=25 C -4.3A RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3.6A 42.3m (typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-3.2A 62.9m (typ) Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced
Otros transistores... AP72T03GH-HF , AP9579GP , AP9963GP , AP9977GM-HF , AP9985GM-HF , AP9T18GH-HF , FBM75N68P , FBM75N68B , IRF1407 , MTB028N10QNCQ8 , MTB030N10RQ8 , MTB095N10KRL3 , MTB095N10KRN3 , MTB1D0N03RH8 , MTB20N06KJ3 , MTB280N15L3 , MTB340N11N6 .
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