MTA50P01SN3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTA50P01SN3
   Código: A5P1*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 14 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0565 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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MTA50P01SN3 Datasheet (PDF)

..1. Size:709K cystek
mta50p01sn3.pdf

Spec. No. : C101N3 Issued Date : 2015.09.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.07.05 Page No. : 1/9 -14V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -14V MTA50P01SN3 ID @ VGS=-10V, TA=25C -4.3A RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3.6A 42.3m(typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-3.2A 62.9m(typ) Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced

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