Справочник MOSFET. MTA50P01SN3

 

MTA50P01SN3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTA50P01SN3
   Маркировка: A5P1*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 14 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0565 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для MTA50P01SN3

 

 

MTA50P01SN3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:709K  cystek
 mta50p01sn3.pdf

MTA50P01SN3 MTA50P01SN3

Spec. No. : C101N3 Issued Date : 2015.09.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.07.05 Page No. : 1/9 -14V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -14V MTA50P01SN3 ID @ VGS=-10V, TA=25C -4.3A RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3.6A 42.3m(typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-3.2A 62.9m(typ) Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AO3414A | DMN2028USS

 

 
Back to Top