MTA50P01SN3 - описание и поиск аналогов

 

MTA50P01SN3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTA50P01SN3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 14 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0565 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для MTA50P01SN3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTA50P01SN3 даташит

 ..1. Size:709K  cystek
 mta50p01sn3.pdf pdf_icon

MTA50P01SN3

Spec. No. C101N3 Issued Date 2015.09.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.07.05 Page No. 1/9 -14V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -14V MTA50P01SN3 ID @ VGS=-10V, TA=25 C -4.3A RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3.6A 42.3m (typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-3.2A 62.9m (typ) Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced

Другие MOSFET... AP72T03GH-HF , AP9579GP , AP9963GP , AP9977GM-HF , AP9985GM-HF , AP9T18GH-HF , FBM75N68P , FBM75N68B , IRF1407 , MTB028N10QNCQ8 , MTB030N10RQ8 , MTB095N10KRL3 , MTB095N10KRN3 , MTB1D0N03RH8 , MTB20N06KJ3 , MTB280N15L3 , MTB340N11N6 .

History: 2SK1821 | STF28N65M2 | 2SJ215 | AP15P10GJ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.