Справочник MOSFET. MTA50P01SN3

 

MTA50P01SN3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTA50P01SN3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 14 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0565 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для MTA50P01SN3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTA50P01SN3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:709K  cystek
 mta50p01sn3.pdf pdf_icon

MTA50P01SN3

Spec. No. : C101N3 Issued Date : 2015.09.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.07.05 Page No. : 1/9 -14V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -14V MTA50P01SN3 ID @ VGS=-10V, TA=25C -4.3A RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3.6A 42.3m(typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-3.2A 62.9m(typ) Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced

Другие MOSFET... AP72T03GH-HF , AP9579GP , AP9963GP , AP9977GM-HF , AP9985GM-HF , AP9T18GH-HF , FBM75N68P , FBM75N68B , P0903BDG , MTB028N10QNCQ8 , MTB030N10RQ8 , MTB095N10KRL3 , MTB095N10KRN3 , MTB1D0N03RH8 , MTB20N06KJ3 , MTB280N15L3 , MTB340N11N6 .

History: IRFP7530 | R6047MNZ1 | WMM07N100C2 | MMF60R280QTH | RU205C | HRLFS136N10P

 

 
Back to Top

 


 
.