MTB280N15L3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTB280N15L3
Código: B280N15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 8.1 nC
Tiempo de subida (tr): 16.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
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MTB280N15L3 Datasheet (PDF)
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Spec. No. : C874L3 Issued Date : 2018.09.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTB280N15L3 2A ID@VGS=10V,TA=25C RDSON@VGS=10V, ID=1.5A 297m(typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=1A 304m(typ) Description The MTB280N15L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combin
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