MTB280N15L3 Todos los transistores

 

MTB280N15L3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB280N15L3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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MTB280N15L3 Datasheet (PDF)

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MTB280N15L3

Spec. No. : C874L3 Issued Date : 2018.09.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTB280N15L3 2A ID@VGS=10V,TA=25C RDSON@VGS=10V, ID=1.5A 297m(typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=1A 304m(typ) Description The MTB280N15L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combin

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