MTB280N15L3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTB280N15L3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для MTB280N15L3
MTB280N15L3 Datasheet (PDF)
mtb280n15l3.pdf

Spec. No. : C874L3 Issued Date : 2018.09.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTB280N15L3 2A ID@VGS=10V,TA=25C RDSON@VGS=10V, ID=1.5A 297m(typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=1A 304m(typ) Description The MTB280N15L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combin
Другие MOSFET... FBM75N68B , MTA50P01SN3 , MTB028N10QNCQ8 , MTB030N10RQ8 , MTB095N10KRL3 , MTB095N10KRN3 , MTB1D0N03RH8 , MTB20N06KJ3 , RU6888R , MTB340N11N6 , MTC3586BDFA6 , MTC3587DL8 , MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 .
History: BSC0906NS | STT04N20 | 2SK1373 | TMA2N60H | 2SK2793 | BSC0921NDI | SM6032NSG
History: BSC0906NS | STT04N20 | 2SK1373 | TMA2N60H | 2SK2793 | BSC0921NDI | SM6032NSG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219