MTB280N15L3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTB280N15L3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для MTB280N15L3
MTB280N15L3 Datasheet (PDF)
mtb280n15l3.pdf
Spec. No. : C874L3 Issued Date : 2018.09.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTB280N15L3 2A ID@VGS=10V,TA=25C RDSON@VGS=10V, ID=1.5A 297m(typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=1A 304m(typ) Description The MTB280N15L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combin
Другие MOSFET... FBM75N68B , MTA50P01SN3 , MTB028N10QNCQ8 , MTB030N10RQ8 , MTB095N10KRL3 , MTB095N10KRN3 , MTB1D0N03RH8 , MTB20N06KJ3 , 18N50 , MTB340N11N6 , MTC3586BDFA6 , MTC3587DL8 , MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 .
History: BSZ042N06NS
History: BSZ042N06NS
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219


