MTB280N15L3 - описание и поиск аналогов

 

MTB280N15L3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB280N15L3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для MTB280N15L3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB280N15L3 даташит

 ..1. Size:644K  cystek
 mtb280n15l3.pdf pdf_icon

MTB280N15L3

Spec. No. C874L3 Issued Date 2018.09.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTB280N15L3 2A ID@VGS=10V,TA=25 C RDSON@VGS=10V, ID=1.5A 297m (typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=1A 304m (typ) Description The MTB280N15L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combin

Другие MOSFET... FBM75N68B , MTA50P01SN3 , MTB028N10QNCQ8 , MTB030N10RQ8 , MTB095N10KRL3 , MTB095N10KRN3 , MTB1D0N03RH8 , MTB20N06KJ3 , 18N50 , MTB340N11N6 , MTC3586BDFA6 , MTC3587DL8 , MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 .

History: H8205A | VBA1101M | SI2301AI-MS | ME4435 | 2SJ240

 

 

 

 

↑ Back to Top
.