MTB340N11N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTB340N11N6
   Código: BTHN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 110 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 9.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 16.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 21 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.43 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26

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MTB340N11N6 Datasheet (PDF)

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mtb340n11n6.pdf

Spec. No. : C580N6 Issued Date : 2017.01.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTB340N11N6 BVDSS 110VID@VGS=10V, TC=25C 1.9A ID@VGS=10V, TA=25C 1.5A Features340m VGS=10V, ID=1.5A Simple drive requirement RDSON(TYP) 355m VGS=4.5V, ID=1A Low on-resistance Small package outline

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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