Справочник MOSFET. MTB340N11N6

 

MTB340N11N6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB340N11N6
   Маркировка: BTHN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB340N11N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  cystek
 mtb340n11n6.pdf pdf_icon

MTB340N11N6

Spec. No. : C580N6 Issued Date : 2017.01.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTB340N11N6 BVDSS 110VID@VGS=10V, TC=25C 1.9A ID@VGS=10V, TA=25C 1.5A Features340m VGS=10V, ID=1.5A Simple drive requirement RDSON(TYP) 355m VGS=4.5V, ID=1A Low on-resistance Small package outline

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: TPY70R1K5MB

 

 
Back to Top

 


 
.