MTB340N11N6 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTB340N11N6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTB340N11N6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для MTB340N11N6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB340N11N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  cystek
 mtb340n11n6.pdf pdf_icon

MTB340N11N6

Spec. No. : C580N6 Issued Date : 2017.01.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTB340N11N6 BVDSS 110VID@VGS=10V, TC=25C 1.9A ID@VGS=10V, TA=25C 1.5A Features340m VGS=10V, ID=1.5A Simple drive requirement RDSON(TYP) 355m VGS=4.5V, ID=1A Low on-resistance Small package outline

Другие MOSFET... MTA50P01SN3 , MTB028N10QNCQ8 , MTB030N10RQ8 , MTB095N10KRL3 , MTB095N10KRN3 , MTB1D0N03RH8 , MTB20N06KJ3 , MTB280N15L3 , 20N50 , MTC3586BDFA6 , MTC3587DL8 , MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 .

 

 
Back to Top

 


 
.