Справочник MOSFET. MTB340N11N6

 

MTB340N11N6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB340N11N6
   Маркировка: BTHN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm
   Тип корпуса: SOT26

 Аналог (замена) для MTB340N11N6

 

 

MTB340N11N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  cystek
 mtb340n11n6.pdf

MTB340N11N6 MTB340N11N6

Spec. No. : C580N6 Issued Date : 2017.01.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTB340N11N6 BVDSS 110VID@VGS=10V, TC=25C 1.9A ID@VGS=10V, TA=25C 1.5A Features340m VGS=10V, ID=1.5A Simple drive requirement RDSON(TYP) 355m VGS=4.5V, ID=1A Low on-resistance Small package outline

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top