MTC3587DL8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTC3587DL8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Encapsulados: DFNWB3X2-8L-B
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MTC3587DL8 datasheet
mtc3587dl8.pdf
Spec. No. C093L8 Issued Date 2016.09.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2017.09.29 Page No. 1/13 N- and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTC3587DL8 N-CH P-CH BVDSS 20V -20V 4.9A(VGS=4.5V) -3.9A(VGS=-4.5 V) ID @ TA=25 C Features 32m (VGS=4.5V) 50m (VGS=-4.5V) Simple drive requirement RDSON(TYP.) 43m (VGS=2.5V) 62m (VGS=-2.5V) Low gat
mtc3585g6.pdf
Spec. No. C416G6 Issued Date 2007.07.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.13 Page No. 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC3585G6 BVDSS 20V -20V ID 4.5A(VGS=4.5V) -3A(VGS=-4.5 V) 27m (VGS=4.5V) 78m (VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m (VGS=2.5V) 115m (VGS=-2.5V) 82m (VGS=1.5V) 280m (VGS=-1.5V) Features Simple drive requirement
mtc3585n6.pdf
Spec. No. C416G6 Issued Date 2007.07.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.06 Page No. 1/12 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CH MTC3585N6 BVDSS 20V -20V ID 4.5A(VGS=4.5V) -3A(VGS=-4.5 V) 27m (VGS=4.5V) 78m (VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m (VGS=2.5V) 115m (VGS=-2.5V) 82m (VGS=1.5V) 280m (VGS=-1.5V) Description The MTC3585N6 consist
mtc3586dfa6.pdf
Spec. No. C835DFA6 Issued Date 2013.06.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.30 Page No. 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC3586DFA6 BVDSS 20V -20V ID 5A(VGS=4.5V) -3.3A(VGS=-4.5 V) 27m (VGS=4.5V) 78m (VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m (VGS=2.5V) 115m (VGS=-2.5V) Description 82m (VGS=1.5V) 280m (VGS=-1.5V) The MTC3586DFA6 consis
Otros transistores... MTB030N10RQ8 , MTB095N10KRL3 , MTB095N10KRN3 , MTB1D0N03RH8 , MTB20N06KJ3 , MTB280N15L3 , MTB340N11N6 , MTC3586BDFA6 , IRF2807 , MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 , MTE65N20H8 , MTEF1P15AV8 .
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