MTC6601N6 Todos los transistores

 

MTC6601N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTC6601N6
   Código: 6601
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTC6601N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  cystek
 mtc6601n6.pdf pdf_icon

MTC6601N6

Spec. No. : C813N6 Issued Date : 2017.03.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC6601N6 BVDSS 30V -30VID 3.7A(VGS=10V) -2.7A(VGS=-10 V) 37.7m(VGS=10V) 91.3m(VGS=-10V) RDSON 42.7m(VGS=4.5V) 104m(VGS=-4.5V) (TYP.) 62.6m(VGS=2.5V) 132m(VGS=-2.5V) Features Simple drive requiremen

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: GSM4896 | APT5024SFLL | RU40E25L | SFF80N20N | SML9030-220M

 

 
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