MTC6601N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTC6601N6
   Código: 6601
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.14 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 9.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 16.6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 46 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26

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MTC6601N6 Datasheet (PDF)

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mtc6601n6.pdf

Spec. No. : C813N6 Issued Date : 2017.03.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC6601N6 BVDSS 30V -30VID 3.7A(VGS=10V) -2.7A(VGS=-10 V) 37.7m(VGS=10V) 91.3m(VGS=-10V) RDSON 42.7m(VGS=4.5V) 104m(VGS=-4.5V) (TYP.) 62.6m(VGS=2.5V) 132m(VGS=-2.5V) Features Simple drive requiremen

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: