MTC6601N6 Todos los transistores

 

MTC6601N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTC6601N6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26
 

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MTC6601N6 Datasheet (PDF)

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MTC6601N6

Spec. No. : C813N6 Issued Date : 2017.03.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC6601N6 BVDSS 30V -30VID 3.7A(VGS=10V) -2.7A(VGS=-10 V) 37.7m(VGS=10V) 91.3m(VGS=-10V) RDSON 42.7m(VGS=4.5V) 104m(VGS=-4.5V) (TYP.) 62.6m(VGS=2.5V) 132m(VGS=-2.5V) Features Simple drive requiremen

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History: NCEP058N85M | 75N10A | SFQ030N100C3 | FDI9406F085 | SSP60R070S2E | IRFAF30 | NCE65TF180T

 

 
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