MTC6601N6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTC6601N6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Encapsulados: SOT26
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MTC6601N6 datasheet
mtc6601n6.pdf
Spec. No. C813N6 Issued Date 2017.03.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/12 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC6601N6 BVDSS 30V -30V ID 3.7A(VGS=10V) -2.7A(VGS=-10 V) 37.7m (VGS=10V) 91.3m (VGS=-10V) RDSON 42.7m (VGS=4.5V) 104m (VGS=-4.5V) (TYP.) 62.6m (VGS=2.5V) 132m (VGS=-2.5V) Features Simple drive requiremen
Otros transistores... MTB1D0N03RH8 , MTB20N06KJ3 , MTB280N15L3 , MTB340N11N6 , MTC3586BDFA6 , MTC3587DL8 , MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , 2N60 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 , MTE65N20H8 , MTEF1P15AV8 , MTNK6N3 , MTP4435AQ8 , C2M065W030 .
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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