MTC6601N6 - описание и поиск аналогов

 

MTC6601N6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTC6601N6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SOT26

Аналог (замена) для MTC6601N6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTC6601N6 даташит

 ..1. Size:507K  cystek
 mtc6601n6.pdf pdf_icon

MTC6601N6

Spec. No. C813N6 Issued Date 2017.03.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/12 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC6601N6 BVDSS 30V -30V ID 3.7A(VGS=10V) -2.7A(VGS=-10 V) 37.7m (VGS=10V) 91.3m (VGS=-10V) RDSON 42.7m (VGS=4.5V) 104m (VGS=-4.5V) (TYP.) 62.6m (VGS=2.5V) 132m (VGS=-2.5V) Features Simple drive requiremen

Другие MOSFET... MTB1D0N03RH8 , MTB20N06KJ3 , MTB280N15L3 , MTB340N11N6 , MTC3586BDFA6 , MTC3587DL8 , MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , 2N60 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 , MTE65N20H8 , MTEF1P15AV8 , MTNK6N3 , MTP4435AQ8 , C2M065W030 .

History: NTMFS4835N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.