MTC6601N6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTC6601N6
Маркировка: 6601
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.14 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9.4 nC
Время нарастания (tr): 16.6 ns
Выходная емкость (Cd): 46 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm
Тип корпуса: SOT26
MTC6601N6 Datasheet (PDF)
..1. Size:507K cystek
mtc6601n6.pdf
mtc6601n6.pdf
Spec. No. : C813N6 Issued Date : 2017.03.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC6601N6 BVDSS 30V -30VID 3.7A(VGS=10V) -2.7A(VGS=-10 V) 37.7m(VGS=10V) 91.3m(VGS=-10V) RDSON 42.7m(VGS=4.5V) 104m(VGS=-4.5V) (TYP.) 62.6m(VGS=2.5V) 132m(VGS=-2.5V) Features Simple drive requiremen
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
