Справочник MOSFET. MTC6601N6

 

MTC6601N6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTC6601N6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для MTC6601N6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTC6601N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  cystek
 mtc6601n6.pdf pdf_icon

MTC6601N6

Spec. No. : C813N6 Issued Date : 2017.03.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC6601N6 BVDSS 30V -30VID 3.7A(VGS=10V) -2.7A(VGS=-10 V) 37.7m(VGS=10V) 91.3m(VGS=-10V) RDSON 42.7m(VGS=4.5V) 104m(VGS=-4.5V) (TYP.) 62.6m(VGS=2.5V) 132m(VGS=-2.5V) Features Simple drive requiremen

Другие MOSFET... MTB1D0N03RH8 , MTB20N06KJ3 , MTB280N15L3 , MTB340N11N6 , MTC3586BDFA6 , MTC3587DL8 , MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , IRF830 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 , MTE65N20H8 , MTEF1P15AV8 , MTNK6N3 , MTP4435AQ8 , C2M065W030 .

History: SFS06R03DF | JSM36326 | IRLZ44S | NCEP058N85M | STB24N65M2 | MTE65N20H8 | 2SK4100LS

 

 
Back to Top

 


 
.