MTE030N15RQ8 Todos los transistores

 

MTE030N15RQ8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTE030N15RQ8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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MTE030N15RQ8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:717K  cystek
 mte030n15rq8.pdf pdf_icon

MTE030N15RQ8

Spec. No. : C838Q8 Issued Date : 2016.06.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.09.20 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE030N15RQ8 BVDSS 150V ID @ TC=25C, VGS=10V 7.7A ID @ TA=25C, VGS=10V 5.6A Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=6A 29.5 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic

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 jmte035n06d.pdf pdf_icon

MTE030N15RQ8

JMTE035N06DDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 60V, 180A Load SwitchR

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 jmte035n04a.pdf pdf_icon

MTE030N15RQ8

40V, 150A, 3.2m N-channel Power Trench MOSFETJMTE035N04AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 150 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power M

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History: 2SK1384R | TMP4N60H | BSC016N03LSG | RUH1H150S-AR | SE40160A | TMAN20N50

 

 
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