MTE030N15RQ8 Todos los transistores

 

MTE030N15RQ8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTE030N15RQ8
   Código: E030N15R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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MTE030N15RQ8 Datasheet (PDF)

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MTE030N15RQ8

Spec. No. : C838Q8 Issued Date : 2016.06.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.09.20 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE030N15RQ8 BVDSS 150V ID @ TC=25C, VGS=10V 7.7A ID @ TA=25C, VGS=10V 5.6A Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=6A 29.5 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic

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