MTE030N15RQ8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTE030N15RQ8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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MTE030N15RQ8 Datasheet (PDF)

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mte030n15rq8.pdf

Spec. No. : C838Q8 Issued Date : 2016.06.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.09.20 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE030N15RQ8 BVDSS 150V ID @ TC=25C, VGS=10V 7.7A ID @ TA=25C, VGS=10V 5.6A Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=6A 29.5 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: