MTE030N15RQ8 Todos los transistores

 

MTE030N15RQ8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTE030N15RQ8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTE030N15RQ8 datasheet

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MTE030N15RQ8

Spec. No. C838Q8 Issued Date 2016.06.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.09.20 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE030N15RQ8 BVDSS 150V ID @ TC=25 C, VGS=10V 7.7A ID @ TA=25 C, VGS=10V 5.6A Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=6A 29.5 m (typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic

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MTE030N15RQ8

JMTE035N06D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 180A Load Switch R

 9.2. Size:1253K  jiejie micro
 jmte035n04a.pdf pdf_icon

MTE030N15RQ8

40V, 150A, 3.2m N-channel Power Trench MOSFET JMTE035N04A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 150 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power M

Otros transistores... MTB20N06KJ3 , MTB280N15L3 , MTB340N11N6 , MTC3586BDFA6 , MTC3587DL8 , MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , 8N60 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 , MTE65N20H8 , MTEF1P15AV8 , MTNK6N3 , MTP4435AQ8 , C2M065W030 , C2M065W060 .

History: 2SK1708 | SWP80N08V1 | SMF12N65 | NTMFS4821N

 

 

 

 

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