MTE030N15RQ8 - описание и поиск аналогов

 

MTE030N15RQ8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTE030N15RQ8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTE030N15RQ8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE030N15RQ8 даташит

 ..1. Size:717K  cystek
 mte030n15rq8.pdf pdf_icon

MTE030N15RQ8

Spec. No. C838Q8 Issued Date 2016.06.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.09.20 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE030N15RQ8 BVDSS 150V ID @ TC=25 C, VGS=10V 7.7A ID @ TA=25 C, VGS=10V 5.6A Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=6A 29.5 m (typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic

 9.1. Size:381K  jiejie micro
 jmte035n06d.pdf pdf_icon

MTE030N15RQ8

JMTE035N06D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 180A Load Switch R

 9.2. Size:1253K  jiejie micro
 jmte035n04a.pdf pdf_icon

MTE030N15RQ8

40V, 150A, 3.2m N-channel Power Trench MOSFET JMTE035N04A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 150 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power M

Другие MOSFET... MTB20N06KJ3 , MTB280N15L3 , MTB340N11N6 , MTC3586BDFA6 , MTC3587DL8 , MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , 8N60 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 , MTE65N20H8 , MTEF1P15AV8 , MTNK6N3 , MTP4435AQ8 , C2M065W030 , C2M065W060 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.