MTE050N15BRV8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTE050N15BRV8
   Código: E050N15BR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTE050N15BRV8

MTE050N15BRV8 Datasheet (PDF)

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mte050n15brv8.pdf

Spec. No. : C033V8 Issued Date : 2017.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE050N15BRV8BVDSS 150VID @ TC=25C, VGS=10V 12.4A ID @ TA=25C, VGS=10V 4.3A 49.1m VGS=10V, ID=3.4A Features RDSON(TYP) 58.5m VGS=6V, ID=3.3A Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switchi

..2. Size:468K cystek
mte050n15brv8.pdf

3.1. Size:858K 1
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Spec. No. : C033H8 Issued Date : 2017.11.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE050N15BRH8BVDSS 150VID@VGS=10V, TC=25C 16A ID@VGS=10V, TA=25C 4.3A RDS(ON)@VGS=10V, ID=3.4A 49.1m(typ) Features RDS(ON)@VGS=6V, ID=3.3A 58.5 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switchi

3.2. Size:858K cystek
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mte05n10e3.pdf

Spec. No. : C928E3 Issued Date : 2013.11.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.12 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTE05N10E3 ID 140A5.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 6.2m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Charact

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mte05n10fp.pdf

Spec. No. : C928FP Issued Date : 2015.03.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE05N10FP ID @ VGS=10V, TC=25C 109A 5.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A 6.2m RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Ch

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mte05n08e3.pdf

Spec. No. : C918E3 Issued Date : 2013.06.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 80VMTE05N08E3 ID 180A4.3m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 4.5m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: