MTE050N15BRV8 Todos los transistores

 

MTE050N15BRV8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTE050N15BRV8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

 Búsqueda de reemplazo de MTE050N15BRV8 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MTE050N15BRV8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  1
 mte050n15brv8.pdf pdf_icon

MTE050N15BRV8

Spec. No. : C033V8 Issued Date : 2017.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE050N15BRV8BVDSS 150VID @ TC=25C, VGS=10V 12.4A ID @ TA=25C, VGS=10V 4.3A 49.1m VGS=10V, ID=3.4A Features RDSON(TYP) 58.5m VGS=6V, ID=3.3A Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switchi

 ..2. Size:468K  cystek
 mte050n15brv8.pdf pdf_icon

MTE050N15BRV8

Spec. No. : C033V8 Issued Date : 2017.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE050N15BRV8BVDSS 150VID @ TC=25C, VGS=10V 12.4A ID @ TA=25C, VGS=10V 4.3A 49.1m VGS=10V, ID=3.4A Features RDSON(TYP) 58.5m VGS=6V, ID=3.3A Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switchi

 3.1. Size:858K  1
 mte050n15brh8.pdf pdf_icon

MTE050N15BRV8

Spec. No. : C033H8 Issued Date : 2017.11.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE050N15BRH8BVDSS 150VID@VGS=10V, TC=25C 16A ID@VGS=10V, TA=25C 4.3A RDS(ON)@VGS=10V, ID=3.4A 49.1m(typ) Features RDS(ON)@VGS=6V, ID=3.3A 58.5 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switchi

 3.2. Size:858K  cystek
 mte050n15brh8.pdf pdf_icon

MTE050N15BRV8

Spec. No. : C033H8 Issued Date : 2017.11.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE050N15BRH8BVDSS 150VID@VGS=10V, TC=25C 16A ID@VGS=10V, TA=25C 4.3A RDS(ON)@VGS=10V, ID=3.4A 49.1m(typ) Features RDS(ON)@VGS=6V, ID=3.3A 58.5 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switchi

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... MTB340N11N6 , MTC3586BDFA6 , MTC3587DL8 , MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 , IRF520 , MTE65N20H8 , MTEF1P15AV8 , MTNK6N3 , MTP4435AQ8 , C2M065W030 , C2M065W060 , C2M065W200 , C2M090BG070 .

History: IPD50N04S3-09 | YJQ4666B | IRFS7730 | BSP324 | APM4429 | STF17N62K3 | NCE65T540K

 

 
Back to Top

 


 
.