Справочник MOSFET. MTE050N15BRV8

 

MTE050N15BRV8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTE050N15BRV8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE050N15BRV8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  1
 mte050n15brv8.pdf pdf_icon

MTE050N15BRV8

Spec. No. : C033V8 Issued Date : 2017.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE050N15BRV8BVDSS 150VID @ TC=25C, VGS=10V 12.4A ID @ TA=25C, VGS=10V 4.3A 49.1m VGS=10V, ID=3.4A Features RDSON(TYP) 58.5m VGS=6V, ID=3.3A Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switchi

 ..2. Size:468K  cystek
 mte050n15brv8.pdf pdf_icon

MTE050N15BRV8

Spec. No. : C033V8 Issued Date : 2017.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE050N15BRV8BVDSS 150VID @ TC=25C, VGS=10V 12.4A ID @ TA=25C, VGS=10V 4.3A 49.1m VGS=10V, ID=3.4A Features RDSON(TYP) 58.5m VGS=6V, ID=3.3A Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switchi

 3.1. Size:858K  1
 mte050n15brh8.pdf pdf_icon

MTE050N15BRV8

Spec. No. : C033H8 Issued Date : 2017.11.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE050N15BRH8BVDSS 150VID@VGS=10V, TC=25C 16A ID@VGS=10V, TA=25C 4.3A RDS(ON)@VGS=10V, ID=3.4A 49.1m(typ) Features RDS(ON)@VGS=6V, ID=3.3A 58.5 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switchi

 3.2. Size:858K  cystek
 mte050n15brh8.pdf pdf_icon

MTE050N15BRV8

Spec. No. : C033H8 Issued Date : 2017.11.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE050N15BRH8BVDSS 150VID@VGS=10V, TC=25C 16A ID@VGS=10V, TA=25C 4.3A RDS(ON)@VGS=10V, ID=3.4A 49.1m(typ) Features RDS(ON)@VGS=6V, ID=3.3A 58.5 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switchi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.