MTE65N20H8 Todos los transistores

 

MTE65N20H8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTE65N20H8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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MTE65N20H8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  1
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MTE65N20H8

Spec. No. : C872H8 Issued Date : 2016.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2016.07.12 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE65N20H8ID @VGS=10V, TC=25C 24A RDSON(TYP) VGS=10V, ID=11A 61m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-fre

 ..2. Size:587K  cystek
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MTE65N20H8

Spec. No. : C872H8 Issued Date : 2016.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2016.07.12 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE65N20H8ID @VGS=10V, TC=25C 24A RDSON(TYP) VGS=10V, ID=11A 61m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-fre

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MTE65N20H8

Spec. No. : C872J3 Issued Date : 2012.10.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE65N20J3 ID 25A61m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 66m VGS=6V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Ou

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MTE65N20H8

Spec. No. : C872F3 Issued Date : 2012.12.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE65N20F3 ID 33A61m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 66m VGS=6V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTE65N20F3 TO-263

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History: JBE102G | MTC3587DL8 | STD30NF04LT | 2SK1085-M | STFU18N65M2 | STFU9N65M2 | 2SK1927

 

 
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