MTE65N20H8 - описание и поиск аналогов

 

MTE65N20H8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTE65N20H8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для MTE65N20H8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE65N20H8 даташит

 ..1. Size:587K  1
 mte65n20h8.pdf pdf_icon

MTE65N20H8

Spec. No. C872H8 Issued Date 2016.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2016.07.12 Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE65N20H8 ID @VGS=10V, TC=25 C 24A RDSON(TYP) VGS=10V, ID=11A 61m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-fre

 ..2. Size:587K  cystek
 mte65n20h8.pdf pdf_icon

MTE65N20H8

Spec. No. C872H8 Issued Date 2016.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2016.07.12 Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE65N20H8 ID @VGS=10V, TC=25 C 24A RDSON(TYP) VGS=10V, ID=11A 61m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-fre

 6.1. Size:304K  cystek
 mte65n20j3.pdf pdf_icon

MTE65N20H8

Spec. No. C872J3 Issued Date 2012.10.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE65N20J3 ID 25A 61m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 66m VGS=6V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Ou

 6.2. Size:282K  cystek
 mte65n20f3.pdf pdf_icon

MTE65N20H8

Spec. No. C872F3 Issued Date 2012.12.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE65N20F3 ID 33A 61m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 66m VGS=6V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTE65N20F3 TO-263

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTC3586BDFA6 , MTC3587DL8 , MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 , AO3400A , MTEF1P15AV8 , MTNK6N3 , MTP4435AQ8 , C2M065W030 , C2M065W060 , C2M065W200 , C2M090BG070 , C2M090W035 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.