Справочник MOSFET. MTE65N20H8

 

MTE65N20H8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTE65N20H8
   Маркировка: E65N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для MTE65N20H8

 

 

MTE65N20H8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  1
 mte65n20h8.pdf

MTE65N20H8 MTE65N20H8

Spec. No. : C872H8 Issued Date : 2016.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2016.07.12 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE65N20H8ID @VGS=10V, TC=25C 24A RDSON(TYP) VGS=10V, ID=11A 61m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-fre

 ..2. Size:587K  cystek
 mte65n20h8.pdf

MTE65N20H8 MTE65N20H8

Spec. No. : C872H8 Issued Date : 2016.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2016.07.12 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE65N20H8ID @VGS=10V, TC=25C 24A RDSON(TYP) VGS=10V, ID=11A 61m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-fre

 6.1. Size:304K  cystek
 mte65n20j3.pdf

MTE65N20H8 MTE65N20H8

Spec. No. : C872J3 Issued Date : 2012.10.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE65N20J3 ID 25A61m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 66m VGS=6V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Ou

 6.2. Size:282K  cystek
 mte65n20f3.pdf

MTE65N20H8 MTE65N20H8

Spec. No. : C872F3 Issued Date : 2012.12.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE65N20F3 ID 33A61m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 66m VGS=6V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTE65N20F3 TO-263

 8.1. Size:310K  cystek
 mte65n15j3.pdf

MTE65N20H8 MTE65N20H8

Spec. No. : C873J3 Issued Date : 2012.12.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 150VMTE65N15J3 ID 20ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 55 m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 61m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

 8.2. Size:344K  cystek
 mte65n15fp.pdf

MTE65N20H8 MTE65N20H8

Spec. No. : C873FP Issued Date : 2012.11.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.05.24 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 150VMTE65N15FP ID 15ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 55 m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 61m(typ) Description The MTE65N15FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fas

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , SKD502T , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top