Справочник MOSFET. MTE65N20H8

 

MTE65N20H8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTE65N20H8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для MTE65N20H8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE65N20H8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  1
 mte65n20h8.pdf pdf_icon

MTE65N20H8

Spec. No. : C872H8 Issued Date : 2016.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2016.07.12 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE65N20H8ID @VGS=10V, TC=25C 24A RDSON(TYP) VGS=10V, ID=11A 61m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-fre

 ..2. Size:587K  cystek
 mte65n20h8.pdf pdf_icon

MTE65N20H8

Spec. No. : C872H8 Issued Date : 2016.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2016.07.12 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE65N20H8ID @VGS=10V, TC=25C 24A RDSON(TYP) VGS=10V, ID=11A 61m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-fre

 6.1. Size:304K  cystek
 mte65n20j3.pdf pdf_icon

MTE65N20H8

Spec. No. : C872J3 Issued Date : 2012.10.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE65N20J3 ID 25A61m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 66m VGS=6V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Ou

 6.2. Size:282K  cystek
 mte65n20f3.pdf pdf_icon

MTE65N20H8

Spec. No. : C872F3 Issued Date : 2012.12.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE65N20F3 ID 33A61m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 66m VGS=6V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTE65N20F3 TO-263

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTC3586BDFA6 , MTC3587DL8 , MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 , RU6888R , MTEF1P15AV8 , MTNK6N3 , MTP4435AQ8 , C2M065W030 , C2M065W060 , C2M065W200 , C2M090BG070 , C2M090W035 .

History: HM4302 | AOD407 | R6520KNZ1 | STB160NF3LLT4 | SWD088R06VT | SI4848DY-T1-E3 | 2N3386

 

 
Back to Top

 


 
.