MTNK6N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTNK6N3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: SOT23
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MTNK6N3 datasheet
mtnk6n3.pdf
Spec. No. C057N3 Issued Date 2017.01.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60V MTNK6N3 ID@VGS=10V, TA=25 C 0.35A RDS(ON)@VGS=10V, ID=500mA 0.9 (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=200mA 1.1 (typ) Features ESD protected gate , 2kV (HBM) Easily designed drive circuits High speed switching Low-vo
Otros transistores... MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 , MTE65N20H8 , MTEF1P15AV8 , STP65NF06 , MTP4435AQ8 , C2M065W030 , C2M065W060 , C2M065W200 , C2M090BG070 , C2M090W035 , C2M090W070 , C2M120W040 .
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