MTNK6N3 Todos los transistores

 

MTNK6N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTNK6N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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MTNK6N3 Datasheet (PDF)

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MTNK6N3

Spec. No. : C057N3 Issued Date : 2017.01.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60VMTNK6N3 ID@VGS=10V, TA=25C 0.35A RDS(ON)@VGS=10V, ID=500mA 0.9(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=200mA 1.1(typ) Features ESD protected gate , 2kV (HBM) Easily designed drive circuits High speed switching Low-vo

Otros transistores... MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 , MTE65N20H8 , MTEF1P15AV8 , IRFZ48N , MTP4435AQ8 , C2M065W030 , C2M065W060 , C2M065W200 , C2M090BG070 , C2M090W035 , C2M090W070 , C2M120W040 .

History: KCY3310A | NCE40H25LL | IRF7379 | RUH1H150R | RMN3N5R0DN | STB18N60M2 | IRLU9343

 

 
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