Справочник MOSFET. MTNK6N3

 

MTNK6N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTNK6N3
   Маркировка: 702
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.52 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTNK6N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  cystek
 mtnk6n3.pdf pdf_icon

MTNK6N3

Spec. No. : C057N3 Issued Date : 2017.01.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60VMTNK6N3 ID@VGS=10V, TA=25C 0.35A RDS(ON)@VGS=10V, ID=500mA 0.9(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=200mA 1.1(typ) Features ESD protected gate , 2kV (HBM) Easily designed drive circuits High speed switching Low-vo

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RU30P4B | IPD70R950CE | SSM60T03J | LSD60R180HT | TK33S10N1Z | NCE70N900 | STW38N65M5

 

 
Back to Top

 


 
.