Справочник MOSFET. MTNK6N3

 

MTNK6N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTNK6N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для MTNK6N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTNK6N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  cystek
 mtnk6n3.pdf pdf_icon

MTNK6N3

Spec. No. : C057N3 Issued Date : 2017.01.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60VMTNK6N3 ID@VGS=10V, TA=25C 0.35A RDS(ON)@VGS=10V, ID=500mA 0.9(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=200mA 1.1(typ) Features ESD protected gate , 2kV (HBM) Easily designed drive circuits High speed switching Low-vo

Другие MOSFET... MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 , MTE65N20H8 , MTEF1P15AV8 , IRFZ48N , MTP4435AQ8 , C2M065W030 , C2M065W060 , C2M065W200 , C2M090BG070 , C2M090W035 , C2M090W070 , C2M120W040 .

History: FCP190N60GF102 | IPW60R060C7 | IPI147N12N3 | SQ3426AEEV | 3N60AF | STC2201 | 8205S

 

 
Back to Top

 


 
.