C2M090BG070 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: C2M090BG070
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 338 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.084 Ohm
Encapsulados: TO-263
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C2M090BG070 datasheet
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nvert C2M090BG070 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 900V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET FEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant BENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency Operation APPLICATIONS Switch Mode Power Supp
c2m090w070.pdf
nvert C2M090W070 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 900V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET FEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant BENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency Operation APPLICATIONS Switch Mode Power Suppl
c2m090w035.pdf
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History: SWP11N65D | SML4080CN | MMBF170LT1G
History: SWP11N65D | SML4080CN | MMBF170LT1G
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