C2M090BG070 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: C2M090BG070
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 338 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.084 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de C2M090BG070 MOSFET
C2M090BG070 Datasheet (PDF)
c2m090bg070.pdf

nvertC2M090BG070Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.900V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFETFEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantBENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency OperationAPPLICATIONS Switch Mode Power Supp
c2m090w070.pdf

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History: IPP120N10S4-05 | CMI80N06 | NCEP026N10M | RUH30150M | SFG08S06DF | IRFPS30N60KPBF | FDMS8558S
History: IPP120N10S4-05 | CMI80N06 | NCEP026N10M | RUH30150M | SFG08S06DF | IRFPS30N60KPBF | FDMS8558S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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