C2M090BG070 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: C2M090BG070
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 338 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 90.8 nC
Время нарастания (tr): 45 ns
Выходная емкость (Cd): 99 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.084 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для C2M090BG070
C2M090BG070 Datasheet (PDF)
c2m090bg070.pdf
nvertC2M090BG070Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.900V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFETFEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantBENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency OperationAPPLICATIONS Switch Mode Power Supp
c2m090w070.pdf
nvertC2M090W070Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.900V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFETFEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantBENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency OperationAPPLICATIONS Switch Mode Power Suppl
c2m090w035.pdf
nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.C2M090W035900V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFETFEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantBENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency OperationAPPLICATIONS Switch Mode Power Suppl
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
