CS14N80V Todos los transistores

 

CS14N80V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS14N80V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.72 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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CS14N80V datasheet

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CS14N80V

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS14N80V 800V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS14N80V TO-3P CS14N80V Absolute Maxi

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