CS14N80V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS14N80V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 51.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.72 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de CS14N80V MOSFET
CS14N80V Datasheet (PDF)
cs14n80v.pdf

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS14N80V800V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS14N80V TO-3P CS14N80VAbsolute Maxi
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History: IRFD24N | SWF7N70D | IRFHM8329TRPBF | SI1046R
History: IRFD24N | SWF7N70D | IRFHM8329TRPBF | SI1046R



Liste
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