CS14N80V - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CS14N80V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 51.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
Аналог (замена) для CS14N80V
CS14N80V Datasheet (PDF)
cs14n80v.pdf
nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS14N80V800V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS14N80V TO-3P CS14N80VAbsolute Maxi
Другие MOSFET... CS12N65P , CS12N65FF , CS12N80F , CS12N80V , CS13N60P , CS13N60F , CS13N65P , CS13N65F , IRFB4227 , CS15N50F , CS15N50P , CS15N70F , CS16N60F , CS16N60P , CS16N65F , CS16N65P , CS16N65W .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866


