Справочник MOSFET. CS14N80V

 

CS14N80V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS14N80V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для CS14N80V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS14N80V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:423K  convert
cs14n80v.pdfpdf_icon

CS14N80V

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS14N80V800V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS14N80V TO-3P CS14N80VAbsolute Maxi

Другие MOSFET... CS12N65P , CS12N65FF , CS12N80F , CS12N80V , CS13N60P , CS13N60F , CS13N65P , CS13N65F , AON6414A , CS15N50F , CS15N50P , CS15N70F , CS16N60F , CS16N60P , CS16N65F , CS16N65P , CS16N65W .

History: 2SK857 | BSC100N10NSFG | AP9926 | 2SK3492 | WM02P23M

 

 
Back to Top

 


 
.