CS2N50DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS2N50DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
Encapsulados: TO-220
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CS2N50DP datasheet
cs2n50df cs2n50dp cs2n50dd cs2n50du.pdf
CS2N50DF, CS2N50DP, nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS2N50DD,CS2N50DU 500V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS2N50D
cs2n50a4.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N50 A4 General Description VDSS 500 V CS2N50 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s
Otros transistores... CS20N65V , CS20N65W , CS2N100F , CS2N100P , CS2N100U , CS2N100D , CS2N100LF , CS2N50DF , CS150N03A8 , CS2N50DD , CS2N50DU , CS2N60P , CS2N60U , CS2N60C , CS2N65F , CS2N65D , CS2N65U .
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