Справочник MOSFET. CS2N50DP

 

CS2N50DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS2N50DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для CS2N50DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2N50DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  convert
 cs2n50df cs2n50dp cs2n50dd cs2n50du.pdf pdf_icon

CS2N50DP

CS2N50DF, CS2N50DP, nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS2N50DD,CS2N50DU500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS2N50D

 8.1. Size:357K  wuxi china
 cs2n50a4.pdf pdf_icon

CS2N50DP

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N50 A4 General Description VDSS 500 V CS2N50 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

Другие MOSFET... CS20N65V , CS20N65W , CS2N100F , CS2N100P , CS2N100U , CS2N100D , CS2N100LF , CS2N50DF , IRLB4132 , CS2N50DD , CS2N50DU , CS2N60P , CS2N60U , CS2N60C , CS2N65F , CS2N65D , CS2N65U .

 

 
Back to Top

 


 
.