CS2N50DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CS2N50DP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CS2N50DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2N50DP даташит

 ..1. Size:452K  convert
 cs2n50df cs2n50dp cs2n50dd cs2n50du.pdf pdf_icon

CS2N50DP

CS2N50DF, CS2N50DP, nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS2N50DD,CS2N50DU 500V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS2N50D

 8.1. Size:357K  wuxi china
 cs2n50a4.pdf pdf_icon

CS2N50DP

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N50 A4 General Description VDSS 500 V CS2N50 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

Другие IGBT... CS20N65V, CS20N65W, CS2N100F, CS2N100P, CS2N100U, CS2N100D, CS2N100LF, CS2N50DF, 4435, CS2N50DD, CS2N50DU, CS2N60P, CS2N60U, CS2N60C, CS2N65F, CS2N65D, CS2N65U