SSH15N60 Todos los transistores

 

SSH15N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSH15N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 160 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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SSH15N60 Datasheet (PDF)

1.1. ssh15n60 ssh15n55.pdf Size:394K _samsung

SSH15N60
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