Справочник MOSFET. SSH15N60

 

SSH15N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH15N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 738 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SSH15N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH15N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  samsung
ssh15n60 ssh15n55.pdfpdf_icon

SSH15N60

SSH15N55 PCB24

Другие MOSFET... SSF9N90A , SSH10N60A , SSH10N70 , SSH10N70A , SSH10N80A , SSH10N90A , SSH15N55 , SSH15N55A , IRF1404 , SSH15N60A , SSH17N60A , SSH20N45 , SSH20N45A , SSH20N50 , SSH20N50A , SSH22N50A , SSH25N35 .

 

 
Back to Top

 


 
.