CS4N90F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS4N90F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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CS4N90F datasheet

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CS4N90F

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS4N90F, CS4N90P 900V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS4N90F TO-220F CS4N90F CS4N9

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CS4N90F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 900 V Rdson Vgs=10V 3.3 -MAX Qg-Typ 14.7nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power suppli

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CS4N90F

N R N-CHANNEL MOSFET CS J 4N90H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4 4 4A VDSS 900 V Rdson_max 5.5 Vgs=10V Qg-typ 7 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

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