CS4N90F Todos los transistores

 

CS4N90F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS4N90F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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CS4N90F Datasheet (PDF)

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CS4N90F

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS4N90F, CS4N90P900V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS4N90F TO-220F CS4N90FCS4N9

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CS4N90F

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 900 V RdsonVgs=10V 3.3 -MAX Qg-Typ 14.7nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power suppli

 0.2. Size:1046K  jilin sino
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CS4N90F

N RN-CHANNEL MOSFET CSJ 4N90H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4 4 4A VDSS 900 V Rdson_max 5.5 Vgs=10V Qg-typ 7 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

Otros transistores... CS4N70F , CS4N70P , CS4N70U , CS4N70D , CS4N80F , CS4N80P , CS4N80U , CS4N80D , IRF9540 , CS4N90P , CS50N06F , CS50N06P , CS50N06U , CS5N100F , CS5N100P , CS5N100VF , CS5N100HF .

History: WMM25N70EM | NCEP1216AS | OSG90R1K2IF | IPP040N06N | IRF8010SPBF | NCEP11N10AS | NCE70N1K1D

 

 
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