CS4N90F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS4N90F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS4N90F

CS4N90F Datasheet (PDF)

..1. Size:659K convert
cs4n90f cs4n90p.pdf

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS4N90F, CS4N90P900V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS4N90F TO-220F CS4N90FCS4N9

0.1. Size:1165K jilin sino
jcs4n90va jcs4n90ra jcs4n90sa jcs4n90fa jcs4n90ca.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 900 V RdsonVgs=10V 3.3 -MAX Qg-Typ 14.7nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power suppli

0.2. Size:1046K jilin sino
jcs4n90fh jcs4n90rh jcs4n90vh.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET CSJ 4N90H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4 4 4A VDSS 900 V Rdson_max 5.5 Vgs=10V Qg-typ 7 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

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Liste

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