CS4N90F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CS4N90F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CS4N90F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS4N90F даташит

 ..1. Size:659K  convert
 cs4n90f cs4n90p.pdf pdf_icon

CS4N90F

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS4N90F, CS4N90P 900V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS4N90F TO-220F CS4N90F CS4N9

 0.1. Size:1165K  jilin sino
 jcs4n90va jcs4n90ra jcs4n90sa jcs4n90fa jcs4n90ca.pdf pdf_icon

CS4N90F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 900 V Rdson Vgs=10V 3.3 -MAX Qg-Typ 14.7nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power suppli

 0.2. Size:1046K  jilin sino
 jcs4n90fh jcs4n90rh jcs4n90vh.pdf pdf_icon

CS4N90F

N R N-CHANNEL MOSFET CS J 4N90H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4 4 4A VDSS 900 V Rdson_max 5.5 Vgs=10V Qg-typ 7 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

Другие IGBT... CS4N70F, CS4N70P, CS4N70U, CS4N70D, CS4N80F, CS4N80P, CS4N80U, CS4N80D, IRFB4227, CS4N90P, CS50N06F, CS50N06P, CS50N06U, CS5N100F, CS5N100P, CS5N100VF, CS5N100HF