CS5N70D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS5N70D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS5N70D

CS5N70D Datasheet (PDF)

..1. Size:690K convert
cs5n70f cs5n70p cs5n70u cs5n70d.pdf

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS5N70F, CS5N70P, CS5N70U, CS5N70D700V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS5N70F TO-2

8.1. Size:829K crhj
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Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N70F A9 General Description VDSS 700 V CS5N70F A9,the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 5 A PD(TC=25) 32 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.8 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

8.2. Size:838K crhj
cs5n70 a4.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N70 A4 General Description VDSS 700 V CS5N70 A4,the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 5 A PD(TC=25) 85 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.8 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power sw

8.3. Size:829K wuxi china
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