Справочник MOSFET. CS5N70D

 

CS5N70D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS5N70D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5N70D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  convert
 cs5n70f cs5n70p cs5n70u cs5n70d.pdf pdf_icon

CS5N70D

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS5N70F, CS5N70P, CS5N70U, CS5N70D700V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS5N70F TO-2

 8.1. Size:829K  crhj
 cs5n70f a9.pdf pdf_icon

CS5N70D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N70F A9 General Description VDSS 700 V CS5N70F A9,the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 5 A PD(TC=25) 32 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.8 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.2. Size:838K  crhj
 cs5n70 a4.pdf pdf_icon

CS5N70D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N70 A4 General Description VDSS 700 V CS5N70 A4,the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 5 A PD(TC=25) 85 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.8 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power sw

 8.3. Size:829K  wuxi china
 cs5n70fa9.pdf pdf_icon

CS5N70D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N70F A9 General Description VDSS 700 V CS5N70F A9,the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 5 A PD(TC=25) 32 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.8 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: APT4525AN | 2SK1605 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | 4N60KG-TF2-T | AON7544 | SI9948AEY-T1-E3

 

 
Back to Top

 


 
.