SSH22N50A Todos los transistores

 

SSH22N50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSH22N50A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 278 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 22 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 182 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3940 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.25 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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SSH22N50A Datasheet (PDF)

1.1. ssh22n50a.pdf Size:220K _samsung

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SSH22N50A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.25 ? Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 22 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 0.197 ? (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Character

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