SSH22N50A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSH22N50A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: TO3P

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SSH22N50A datasheet

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SSH22N50A

SSH22N50A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.25 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 22 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 0.197 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol C

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