Справочник MOSFET. SSH22N50A

 

SSH22N50A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH22N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 182 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SSH22N50A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH22N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  samsung
 ssh22n50a.pdf pdf_icon

SSH22N50A

SSH22N50AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.25 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 22 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 0.197 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

Другие MOSFET... SSH15N55A , SSH15N60 , SSH15N60A , SSH17N60A , SSH20N45 , SSH20N45A , SSH20N50 , SSH20N50A , P55NF06 , SSH25N35 , SSH25N35A , SSH25N40 , SSH25N40A , SSH3N70 , SSH3N70A , SSH40N15 , SSH40N15A .

 

 
Back to Top

 


 
.