SSH22N50A - описание и поиск аналогов

 

SSH22N50A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSH22N50A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SSH22N50A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH22N50A даташит

 ..1. Size:220K  samsung
 ssh22n50a.pdf pdf_icon

SSH22N50A

SSH22N50A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.25 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 22 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 0.197 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol C

Другие MOSFET... SSH15N55A , SSH15N60 , SSH15N60A , SSH17N60A , SSH20N45 , SSH20N45A , SSH20N50 , SSH20N50A , IRF3710 , SSH25N35 , SSH25N35A , SSH25N40 , SSH25N40A , SSH3N70 , SSH3N70A , SSH40N15 , SSH40N15A .

History: 2SK2850-01

 

 

 

 

↑ Back to Top
.