SSH25N35 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSH25N35
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 350 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 280 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: TO3P
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SSH25N35 datasheet
ssh25n40a.pdf
SSH25N40A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 25 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON) 0.162 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol C
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History: G1003A | 120N03 | 05N06 | SSH20N50
History: G1003A | 120N03 | 05N06 | SSH20N50
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Liste
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