Справочник MOSFET. SSH25N35

 

SSH25N35 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH25N35
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 280 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH25N35 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:275K  samsung
 ssh25n35 ssh25n40.pdf pdf_icon

SSH25N35

 8.1. Size:214K  samsung
 ssh25n40a.pdf pdf_icon

SSH25N35

SSH25N40AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 25 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON) : 0.162 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

Другие MOSFET... SSH15N60 , SSH15N60A , SSH17N60A , SSH20N45 , SSH20N45A , SSH20N50 , SSH20N50A , SSH22N50A , IRFB4227 , SSH25N35A , SSH25N40 , SSH25N40A , SSH3N70 , SSH3N70A , SSH40N15 , SSH40N15A , SSH40N20 .

History: IXTQ480P2 | IXFN100N25 | RU6H9R | KF16N25F | WST3400A | SMC8205AW | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.