CS9N80F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS9N80F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 162 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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CS9N80F datasheet

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CS9N80F

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS9N80F, CS9N80P 800V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS9N80F TO-220F CS9N80F CS9N8

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