CS9N80F - аналоги и даташиты транзистора

 

CS9N80F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CS9N80F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS9N80F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:652K  convert
 cs9n80f cs9n80p.pdf pdf_icon

CS9N80F

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS9N80F, CS9N80P800V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS9N80F TO-220F CS9N80FCS9N8

Другие MOSFET... CS8N65F , CS8N65P , CS8N65D , CS8N70F , CS8N90F , CS8N90P , CS9N65F , CS9N65D , IRFP064N , CS9N80P , CS9N90F , CS9N90P , CS9N90W , CS9N90V , CS9N95F , CS9N95W , CSB08N6P5 .

 

 
Back to Top

 


 
.